POMS 设计说明：
1、巧妙利用内部寄生二极管。上电时，通过内部寄生二极管，Vgs电压大于开启电压，PMOS管完全导通；
2、R29，R31：电阻分压，调整Vgs电压，Vgs电压尽量大，这样，Ron越小，压降越小，损耗越低；
3、D5、稳压二极管，防止Vgs电压超过极限电压。
NMOS 设计说明：
1、巧妙利用内部寄生二极管。上电时，通过内部寄生二极管，Vgs电压大于Vth电压，NMOS管完全导通；
2、R87，R88：电阻分压，调整Vgs电压，Vgs电压尽量大，这样，Ron越小，压降越小，损耗越低；
3、D25、稳压二极管，防止Vgs电压超过极限电压。